63-4936-02 FDS4435BZ P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V, 8-Pin SOIC บนตัวนํา FDS4435BZ
คุณลักษณะ
- P-Channel MOSFET ยานยนต์, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor คือโซลูชั่นที่ช่วยแก้ปัญหาที่ซับซ้อนในตลาดยานยนต์ ด้วยคําสั่งที่ละเอียดรอบคอบในด้านคุณภาพ ความปลอดภัย และมาตรฐานความน่าเชื่อถือ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 8.8 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 20 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -25 V, +25 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2.5 วัตต์
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 68 นาที
- รหัส:671-0508
ขนาดแพ็คเกจ：80×140×10 mm 10 g [เกี่ยวกับขนาดแพ็คเกจ]
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4936-02 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDS4435BZ | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,160
USD: 7.28
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|