63-4935-93 ［เลิกผลิตแล้ว］FDN337N แชนแนล MOSFET, 2.2 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 ใน Semiconductor FDN337N
คุณลักษณะ
- โหมดปรับปรุง N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Field Effect Transisters (FET) ของโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของแฟร์ไชลด์, ความหนาแน่นเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับอย่างรวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 2.2 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 65 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -8 V, +8 V
- ชนิดแพคเกจ: โซที-23
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 500 ม.ว.
- ความยาว : 2.92 มม.
- รหัส:671-0429
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4935-93 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FDN337N | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 370
USD: 2.30
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |