63-4935-85 BSS84 P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 บน Semiconductor BSS84
คุณลักษณะ
- โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET บน Semiconductor บน Semiconductors ในช่วง P-Channel MOSFETS นั้นถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ที่มีราคาไม่แพง, ความหนาแน่นของเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดการต้านทานต่อสถานะเพื่อให้ประสิทธิภาพการทํางานทนทานและเชื่อถือได้สําหรับการสลับที่รวดเร็ว คุณลักษณะและคุณประโยชน์:
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 130 เอ็มเอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 50 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 10 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.8V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซที-23
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 360 ม.ว.
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +150 °ซ.
- รหัส:671-0328
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4935-85 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSS84 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 390
USD: 2.45
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|