63-4869-29 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFR220NPBF N-Channel MOSFET, 5 A, 200 V HEXFET, DPAK 3 พิน IRFR220NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 150V ถึง 600V อินฟินิออน การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 5 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 200 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 600 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 43 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +175 °ซ.
- หมายเลขรหัส:543-2216
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4869-29 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFR220NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 620
USD: 3.86
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |