63-4868-84 [เลิกผลิตแล้ว]IRFZ44NLPBF N-Channel MOSFET, 49 A, 55 V HEXFET, 3-Pin I2PAK Infineon IRFZ44NLPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 49 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 55 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 17.5 มΩ
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: I2PAK (TO-262)
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 3.8 วัตต์
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +175 °ซ.
- หมายเลขรหัส:543-0119
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4868-84 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFZ44NLPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 160
USD: 1.00
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]IRFZ44NLPBF N-Channel MOSFET, 49 A, 55 V HEXFET, 3-Pin I2PAK Infineon IRFZ44NLPBF](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4868/84/63486650.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)