63-4868-43 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF3415SPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon IRF3415SPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 150V ถึง 600V อินฟินิออน การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 43 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 150 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 42 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 3.8 วัตต์
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 71 นาที
- รหัส:542-9248
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4868-43 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF3415SPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 250
USD: 1.57
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |