63-4866-32 IRF520NPBF N-Channel MOSFET, 9.7 A, 100 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRF520NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 9.7 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 100 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 200 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220เอบี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 48 ดับเบิลยู
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 32 นาที
- รหัส:541-1180
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4866-32 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF520NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 140
USD: 0.88
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|