63-4866-13 IRFZ24NPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRFZ24NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 17 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 55 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 70 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220เอบี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 45 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- หมายเลขรหัส:541-0761
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4866-13 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFZ24NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 99
USD: 0.62
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|