63-4865-96 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF7314PBF Dual P-Channel MOSFET, 5.3 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7314PBF
คุณลักษณะ
- Dual P-Channel Power MOSFET, Infineon MOSFET แบบใช้พลังงานคู่ของ Infinion ได้รวมอุปกรณ์ HEXFET® สองตัวเข้าด้วยกันเพื่อให้สามารถประหยัดเนื้อที่และประหยัดค่าใช้จ่ายได้ ด้วยการออกแบบความหนาแน่นที่มีส่วนประกอบของบอร์ดซึ่งมีพื้นที่เพียงพอ มีตัวเลือกหลากหลายของแพ็คเกจที่มีให้และนักออกแบบสามารถเลือกใช้ Dual P-channel
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 5.3 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 20 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 58 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.7V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -12 V, +12 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2 วัตต์
- ความสูง : 1.5 มม.
- หมายเลขรหัส:541-0294
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4865-96 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7314PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 140
USD: 0.87
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |