Infineon

63-4865-79 IRF3710PBF N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRF3710PBF

คุณลักษณะ

  • N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1 ชิ้น
  • ประเภทช่อง: N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 57 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 100 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 23 มΩ.
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
  • ชนิดแพคเกจ: ทู-220เอบี
  • ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 200 ดับเบิลยู
  • เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 45 นาที
  • หมายเลขรหัส:540-9812
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-4865-79
หมายเลขแบบจําลอง IRF3710PBF
ราคามาตรฐาน JPY: 510 USD: 3.20
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1piece
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์