[Taiwan Semiconductor]전자/전기 부품 및 제어 장치
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대만 Semi 60V 3A, 쇼트키 다이오드, 2핀 DO-214AC SK36A R2 SK36A R2
쇼트키 배리어 다이오드, 2A 내지 9A, 대만 반도체. 낮은 전력 손실 낮은 전방 전압 강하 높은 전류 용량
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JPY: 3,540
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대만 Semi 30V 1A, 쇼트키 다이오드, 2핀 DO-41 1N5818 R0 1N5818 R0
쇼트키 장벽 다이오드, 최대 1A, 대만 반도체입니다. 낮은 전력 손실 낮은 전방 전압 강하 높은 전류 용량
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JPY: 3,330
USD: 20.87
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대만 Semi 600V 1A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-214AC ES1J R2 ES1J R2
정류기 다이오드, 1A, 대만 반도체
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JPY: 3,580
USD: 22.44
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대만 Semi 100V 150mA, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-35 1N448 A0 1N4448 A0
소형 신호 스위칭 다이오드, 타이완 반도체
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JPY: 1,830
USD: 11.47
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대만 Semi P6KE62CA R0, 양방향 TVS 다이오드, 600W, 2핀 DO-15 P6KE62CA R0
TVS 다이오드 축 양방향 600W, 대만 반도체
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JPY: 1,630
USD: 10.22
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대만 Semi P6KE7.5CA R0, 양방향 TVS 다이오드, 600W, 2핀 DO-15 P6KE7.5CA R0
TVS 다이오드 축 양방향 600W, 대만 반도체
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JPY: 800
USD: 5.02
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대만 준, 12V 제너 다이오드 5% 1 W 관통 구멍 2 핀 DO-41 1N4742A R0
제너 다이오드 1W, 1N47xxA 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 3,880
USD: 24.32
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대만 준, 18V 제너 다이오드 5% 1 W 관통 구멍 2 핀 DO-41 1N4746A R0
제너 다이오드 1W, 1N47xxA 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 4,080
USD: 25.58
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대만 준, 20V 제너 다이오드 5% 1 W 관통 구멍 2 핀 DO-41 1N4747A R0
제너 다이오드 1W, 1N47xxA 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 3,790
USD: 23.76
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대만 준, 30V 제너 다이오드 5% 1 W 관통 구멍 2 핀 DO-41 1N4751A R0
제너 다이오드 1W, 1N47xxA 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 3,670
USD: 23.01
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대만 준, 33V 제너 다이오드 5% 1 W 관통 구멍 2 핀 DO-41 1N4752A R0
제너 다이오드 1W, 1N47xxA 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 3,650
USD: 22.88
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대만 세미, 100V 제너 다이오드 6% 800mW SMT 2핀 하위 SMA BZD27C100P R3
제너 다이오드 800mW, BZD27C 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 1,870
USD: 11.72
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대만 세미, 200V 제너 다이오드 6% 800mW SMT 2핀 하위 SMA BZD27C200P R3
제너 다이오드 800mW, BZD27C 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 2,940
USD: 18.43
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대만 반도체 GBPC1506 T0, 브리지 정류기, 15A 600V, 4핀 GBPC GBPC1506 T0
UL E-96005. Push-on 단자, GBPC 15 시리즈, 대만 반도체가 있는 브리지 정류기. 고전류 15 암페어 유리 패시베이션된 칩 접합 일체로 성형된 열 싱크는 최대 열 방출을 위해 매우 낮은 열 저항을 제공 2500V Fast-on Terminals에서 케이스를 격리된 전압
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JPY: 1,820
USD: 11.41
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대만 반도체 GBPC3506 T0, 브리지 정류기, 35A 600V, 4핀 GBPC GBPC3506 T0
UL E-96005. Push-on 단자, GBPC 35 시리즈, 대만 반도체가 있는 브리지 정류기. 고전류 35 암페어(High Current 35 Apera) 일체로 성형된 방열판은 최대 열 방출을 위해 매우 낮은 열 저항을 제공함 2500V Fast-on Terminals를 통해 케이스에서 격리된 전압
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JPY: 2,250
USD: 14.10
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대만 반도체 GBPC3504 T0, 브리지 정류기, 35A 400V, 4핀 GBPC GBPC3504 T0
UL E-96005. Push-on 단자, GBPC 35 시리즈, 대만 반도체가 있는 브리지 정류기. 고전류 35 암페어(High Current 35 Apera) 일체로 성형된 방열판은 최대 열 방출을 위해 매우 낮은 열 저항을 제공함 2500V Fast-on Terminals를 통해 케이스에서 격리된 전압
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JPY: 2,050
USD: 12.85
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대만 반도체 GBPC3510W T0, 브리지 정류기, 35A 1000V, 4핀 GBPC-W GBPC3510W T0
UL E-96005. 와이어 리드, GBPC35xxW 시리즈, 대만 반도체가 있는 브리지 정류기. 고전류 35 암페어(High Current 35 Apera) 일체로 성형된 방열판은 최대 열 방출을 위해 매우 낮은 열 저항을 제공합니다. 분리된 전압은 구멍 장착을 통해 PCB의 2500V 와이어 리드 구조
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JPY: 2,060
USD: 12.91
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대만 반도체 GBPC3510 T0, 브리지 정류기, 35A 1000V, 4핀 GBPC GBPC3510 T0
UL E-96005. Push-on 단자, GBPC 35 시리즈, 대만 반도체가 있는 브리지 정류기. 고전류 35 암페어(High Current 35 Apera) 일체로 성형된 방열판은 최대 열 방출을 위해 매우 낮은 열 저항을 제공함 2500V Fast-on Terminals를 통해 케이스에서 격리된 전압
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JPY: 2,650
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대만 반도체 GBPC5010 T0, 브리지 정류기, 50A 1000V, 4핀 GBPC GBPC5010 T0
UL E-96005. Push-on 단자, GBPC 50 시리즈, 대만 반도체가 있는 브리지 정류기. High Current 50 A Glass passivated Junction Integrated molded Heat-sink provided low thermal resistance for maximum heat dissipation Isolated voltage to lead from case to lead over 2500 V Fast-on Terminals(고전류 50 A Glass passivated 접합 통합 성형된 히트싱크)
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JPY: 1,250
USD: 7.84
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대만 반도체 KBL405G T0, 브리지 정류기, 4A 600V, 4핀 KBL KBL405G T0
UL E-326243. SIL PCB 마운팅, KBL40xG 시리즈. 대만 반도체 KBL40xG 시리즈 브리지 정류기(SIL PCB 장착 패키지) PCB(Printed Circuit Board) 마운팅용 평균 정전류 4A GLASS PASSIVATED JUNCTION WIRE LEAD 구조 신뢰성 있는 저비용 구조
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JPY: 2,510
USD: 15.73
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대만 Semi 1000V 1A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-41 HER108G R0 HER108G R0
정류기 다이오드, 1A, 대만 반도체
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JPY: 1,980
USD: 12.41
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대만 Semi 100V 2A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-15 HER202G R0 HER202G R0
정류 다이오드, 1.5A - 2A, 대만 반도체
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JPY: 2,320
USD: 14.54
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대만 Semi 1000V 2A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-15 HER208G R0 HER208G R0
정류 다이오드, 1.5A - 2A, 대만 반도체
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JPY: 1,620
USD: 10.16
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대만 Semi 100V 30A, 이중 쇼트키 다이오드, 3핀 TO-220AB MBR30100CT C0 MBR30100CT C0
쇼트키 배리어 다이오드, 10A 내지 60A, 대만 반도체. 낮은 전력 손실 낮은 전방 전압 강하 높은 전류 용량
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JPY: 2,550
USD: 15.98
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대만 Semi 600V 4A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-201AD MUR460 R0 MUR460 R0
정류기 다이오드, 3A 내지 4A, 대만 반도체
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JPY: 1,240
USD: 7.77
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대만 Semi 40V 5A, 쇼트키 다이오드, 2핀 DO-214AA SK54B R4 SK54B R4
쇼트키 배리어 다이오드, 2A 내지 9A, 대만 반도체. 낮은 전력 손실 낮은 전방 전압 강하 높은 전류 용량
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JPY: 890
USD: 5.58
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대만 반도체 ABS10 RGG, 브리지 정류기, 1A 1000V, 4핀 ABS ABS10 RGG
UL 인식 파일 # E-326854. 대만 반도체의 PCB 표면 마운트, ABS 시리즈용 브리지 정류기. 유리 수동 접합 PCB(Printed Circuit Board) 리플로우 솔더링에 이상적 성형된 플라스틱 본체 케이스 높은 서지 전류 성능
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JPY: 1,760
USD: 11.03
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대만 준, 15V 제너 다이오드 6% 500mW 관통 구멍 2 핀 DO-35 BZX55C15 R0
제너 다이오드 500mW, BZX55C 시리즈, 대만 반도체
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JPY: 2,670
USD: 16.74
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대만 Semi 800V 1A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-41 FR106G R0 FR106G R0
정류기 다이오드, 1A, 대만 반도체
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JPY: 2,150
USD: 13.48
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대만 Semi 200V 6A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 R 6 6A20G R0 6A20G R0
정류기 다이오드, 5A 내지 16A, 대만 반도체
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JPY: 2,780
USD: 17.43
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대만 Semi 600V 6A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 R 6 6A60G R0 6A60G R0
정류기 다이오드, 5A 내지 16A, 대만 반도체
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JPY: 2,730
USD: 17.11
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대만 Semi 200V 3A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-201AD BY251 R0 BY251 R0
정류기 다이오드, 3A 내지 4A, 대만 반도체
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JPY: 3,740
USD: 23.44
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TSH481CT B0G 대만 반도체, 선형 홀 효과 센서, 3핀 TO-92S TSH481CT B0G
대만 반도체의 홀 효과 센서. 대만 반도체의 선형 출력 홀 효과 자기장 센서. 상기 장치는 ±800 가우스(Gauss)의 범위에 걸쳐 적용된 자속 밀도에 비례하는 비율 출력 전압을 생성한다. 공급 전압: 3.0 ~ 6.5V 공급 전류: 2.2mA(일반) 대역폭: 20kHz 자속 범위: ±800 가우스 출력 범위: 3.2V(Vs 5V)
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JPY: 9,880
USD: 61.93
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TSM2307CX RFG P 채널 MOSFET, 3A, 30V, 3핀 SOT-23 대만 반제품 TSM2307CX RFG
P 채널 전원 MOSFET, 대만 반도체
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JPY: 611,000
USD: 3,830.00
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TSM2307CX RFG P 채널 MOSFET, 3A, 30V, 3핀 SOT-23 대만 반제품 TSM2307CX RFG
P 채널 전원 MOSFET, 대만 반도체
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JPY: 5,110
USD: 32.03
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대만 준, 10V 제너 다이오드 5% 1.3W 관통 구멍 2 핀 DO-41 BZX85C10 R0
제너 다이오드 1.3W, BZX85C 시리즈, 대만 반도체. 5% 밀폐된 유리의 제너 전압 내성
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JPY: 59,700
USD: 374.22
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대만 준, 10V 제너 다이오드 5% 1.3W 관통 구멍 2 핀 DO-41 BZX85C10 R0
제너 다이오드 1.3W, BZX85C 시리즈, 대만 반도체. 5% 밀폐된 유리의 제너 전압 내성
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JPY: 3,000
USD: 18.81
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대만 Semi 1000V 1A, 실리콘 접합 다이오드, 2핀 DO-41 FR107G R0 FR107G R0
정류기 다이오드, 1A, 대만 반도체
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JPY: 2,350
USD: 14.73
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대만 반도체, TS2596CM5 RNG 스텝다운 스위칭 조절기, 1채널 3A 조절 6핀, D2PAK TS2596CM5 RNG
스위칭 조정기, 벅(스텝다운) DC-DC 변환기, 타이완 반도체
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JPY: 237,000
USD: 1,485.61
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대만 반도체 TS2937CP33 ROG, LDO 조절기, 500mA, 3.3V, ±2% 3핀, DPAK TS2937CP33 ROG
LDO(Low Dropout) 선형 전압 조절기, 대만 반도체입니다. 고정 출력 전압
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JPY: 340,000
USD: 2,131.26
