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• 다이오드의 파라미터 모델에서는 역회복 속성이 파라미터 TT, 1로 표시되고, 역회복 속성은 충실하게 표현되지 않는다.
• 역회복 특성을 충실히 재현하기 위해서는 등가 회로 모델이 채택되어야 한다.
• 이 모델의 적용은, 특히 전력 전자장치에서, 전력 MOSFET의 바디 다이오드, IGBT의 FWD에 스위칭 시간이 영향을 미치는 회로에 있습니다.
• 이 제품을 사용하여 등가 회로 모델을 소개하고 등가 회로 모델을 이해하십시오.
• 최신 DIDT(Current Reduction Rate) 모델 및 열 장치 모델에 대한 연구 결과도 포함되어 있습니다.　
• 목차
• 1.　장치 모델링이란?
• 2.　장치 모델링
• 2.1 다이오드의 매개 변수와 동작 모델의 차이
• 2.2 행동 모델에 대해 어떻게 생각하는가(5가지 방법: 고안된 기술)
• 2.3 전방 특성의 매개변수를 추출하는 방법
• 2.4 용량 속성의 매개변수를 추출하는 방법
• 2.5 역복구 특성 추출 방법
• 3.　장치 모델을 평가하는 방법
• 3.1 전방 특성 평가 분석 시뮬레이션
• 3.2 용량 특성 평가 분석 시뮬레이션
• 3.3 역회복 특성에 대한 평가분석 시뮬레이션
• 4.　열 장치 모델링
• 5.　다이오드 모델의 장치 모델링 연습
• 5.1 장치 모델링
• 5.2 평가 회로 시뮬레이션
• 6.　FCC 회로의 소음 분석 시뮬레이션
• 6.1 FCC 회로 방법
• 6.2 개념 회로 분석 시뮬레이션
• 6.3 장치 모델 및 회로 분석 시뮬레이션 통합
• 7.　전파손실 DIDT 모델 소개
• 8.　질문 및 답변
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