ROHM

64-2796-68 [단종]HP8MA2TB1 이중 N/P 채널 MOSFET, 15(P 채널) A, 18(N 채널) A, 30(N 채널) V, 30(P 채널) V HP8MA2TB1

사양

  • 수량:1세트(2500개)
  • 채널 유형:N, P
  • 최대 연속 드레인 전류:15(P 채널) A, 18(N 채널) A
  • 최대 드레인 소스 전압:30V
  • 최대 드레인 소스 저항:16.5옴
  • 최대 게이트 임계값 전압:2.5(N 채널) V, 2.5(P 채널) V
  • 최소 게이트 임계값 전압:1(N 채널) V, 1(P 채널) V
  • 최대 게이트 소스 전압:±20(N 채널) V, ±20(P 채널) V
  • 패키지 유형:HSOP
  • 마운트 유형:서피스 마운트
  • 핀 수:8
  • 채널 모드:향상
  • 최대 전력 소비량: 7W
  • 칩당 요소 수:2
  • 코드 번호:178-5714
  •  
주문 번호 64-2796-68
모델 번호 HP8MA2TB1
표준 가격 JPY: 219,000 USD: 1,372.78
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1set(2500pieces)
  단종
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