64-2794-67 SiR188DP-T1-RE3 N-채널 MOSFET, 60A, 60V TrenchFET, 8핀 SO-8 Vishay Siliconix SiR188DP-T1-RE3
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:60A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 배수 소스 저항:4mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:2V
- 최소 게이트 임계값 전압:3.6V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:SO-8
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:65.7W
- 트랜지스터 재료:Si
- 코드 번호:178-3895
| 주문 번호 | 64-2794-67 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiR188DP-T1-RE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,780
USD: 17.43
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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