64-2794-66 [단종]SQJ504EP-T1_GE3 이중 N 채널 MOSFET, 30(N 채널) A, 30(P 채널) A, 40 V 트렌치 FET, 8-핀 SO-8 비샤이 실리코닉스 SQJ504EP-T1_GE3
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 드레인 전류:30 (N 채널) A, 30 (P 채널) A
- 최대 드레인 소스 전압:40V
- 최대 배수 소스 저항:30mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1.5V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:SO-8
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:34(N 채널) W, 34(P 채널) W
- 일반적인 끄기 지연 시간:21(N 채널) ns, 45(P 채널) ns
- 코드 번호:178-3893
| 주문 번호 | 64-2794-66 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SQJ504EP-T1_GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,680
USD: 16.68
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]SQJ504EP-T1_GE3 이중 N 채널 MOSFET, 30(N 채널) A, 30(P 채널) A, 40 V 트렌치 FET, 8-핀 SO-8 비샤이 실리코닉스 SQJ504EP-T1_GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2794/66/64279466.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)