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64-2794-66 [단종]SQJ504EP-T1_GE3 이중 N 채널 MOSFET, 30(N 채널) A, 30(P 채널) A, 40 V 트렌치 FET, 8-핀 SO-8 비샤이 실리코닉스 SQJ504EP-T1_GE3

사양

  • 수량:1백(10개)
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 드레인 전류:30 (N 채널) A, 30 (P 채널) A
  • 최대 드레인 소스 전압:40V
  • 최대 배수 소스 저항:30mΩ
  • 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
  • 최소 게이트 임계값 전압:1.5V
  • 최대 게이트 소스 전압:±20V
  • 패키지 유형:SO-8
  • 마운트 유형:서피스 마운트
  • 핀 수:8
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량:34(N 채널) W, 34(P 채널) W
  • 일반적인 끄기 지연 시간:21(N 채널) ns, 45(P 채널) ns
  • 코드 번호:178-3893
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주문 번호 64-2794-66
모델 번호 SQJ504EP-T1_GE3
표준 가격 JPY: 2,680 USD: 16.68
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(10pieces)
  단종
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