64-2794-64 ［단종］SiSH617DN-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 35A, 30V TrenchFET, 8핀 1212 Vishay Siliconix SiSH617DN-T1-GE3
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:35A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 배수 소스 저항:20mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1.2V
- 최대 게이트 소스 전압:±25V
- 패키지 유형:1212
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:52W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:178-3888
| 주문 번호 | 64-2794-64 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiSH617DN-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,520
USD: 15.80
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |