64-2794-60 SQ2364EES-T1_GE3 N 채널 MOSFET, 2A, 60V TrenchFET, 3핀 SOT-23 Vishay Siliconix SQ2364EES-T1_GE3
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:2A
- 최대 드레인 소스 전압:60V
- 최대 배수 소스 저항:600mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:0.46V
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:±8V
- 패키지 유형:SOT-23
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 3W
- 칩당 요소 수:1
- 코드 번호:178-3877
| 주문 번호 | 64-2794-60 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SQ2364EES-T1_GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 3,090
USD: 19.23
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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