64-2794-19 ［단종］SiRA12BDP-T1-GE3 N-채널 MOSFET, 60A, 30V TrenchFET, 8핀 SO-8 Vishay Siliconix SiRA12BDP-T1-GE3
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:60A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 배수 소스 저항:6mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:1.2V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-16V, +20V
- 패키지 유형:SO-8
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:38W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:178-3689
| 주문 번호 | 64-2794-19 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 모델 번호 | SiRA12BDP-T1-GE3 | |||||||||||||||
| 표준 가격 |
JPY: 125,610
USD: 781.55
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|||||||||||||||
수량수량ass="init">
64-2794-19 ［단종］SiRA12BDP-T1-GE3 N-채널 MOSFET, 60A, 30V TrenchFET, 8핀 SO-8 Vishay Siliconix SiRA12BDP-T1-GE3仕様
| ||||||||||||||||
