64-2794-06 Si2319DDS-T1-GE3 P-채널 MOSFET, 3.6A, 40V TrenchFET, 3핀 SOT-23 Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:3.6A
- 최대 드레인 소스 전압:40V
- 최대 배수 소스 저항:100mΩ
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:SOT-23
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.7W
- 트랜지스터 재료:Si
- 코드 번호:178-3663
| 주문 번호 | 64-2794-06 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | Si2319DDS-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 128,000
USD: 802.36
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
|
|
| 공급자 재고 |
|
|