64-2779-72 ［단종］RQ3E100BNTB N 채널 MOSFET, 21A, 30V RQ3E100BN, 8핀 HSMT ROHM RQ3E100BNTB
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:21A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 소스 저항:10.4m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:HSMT
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:15W
- 일반적인 입력 용량 @ Vds:1100 pF @ 15V
- 코드 번호:177-6623
| 주문 번호 | 64-2779-72 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | RQ3E100BNTB | |
| 표준 가격 |
JPY: 690
USD: 4.29
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |