64-2645-79 ［단종］RQ3E120BNTB N 채널 MOSFET, 21A, 30V RQ3E120BN, 8핀 HSMT ROHM RQ3E120BNTB
사양
- 수량:1백(50개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:21A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 소스 저항:11.9옴
- 최대 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:±20V
- 패키지 유형:HSMT
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:16W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:171-9833
| 주문 번호 | 64-2645-79 | |
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| 모델 번호 | RQ3E120BNTB | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,080
USD: 13.04
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(50pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |