64-2559-28 [단종]PMDXB1200UPEZ 헥스 P 채널 MOSFET, -410 mA, -30 V, 8핀 DFN1010B-6, SOT1216 넥스페리아 PMDXB1200UPEZ
사양
- 수량:1백(25개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:-410mA
- 최대 드레인 소스 전압:-30V
- 최대 드레인 소스 저항:5.1옴
- 최대 게이트 임계값 전압:-0.95V
- 최소 게이트 임계값 전압:-0.45V
- 최대 게이트 소스 전압:8V
- 패키지 유형:DFN1010B-6, SOT1216
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:트렌치 MOSFET
- 최대 전력 소비량:4030mW
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:153-1962
| 주문 번호 | 64-2559-28 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | PMDXB1200UPEZ | |
| 표준 가격 |
JPY: 870
USD: 5.45
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(25pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]PMDXB1200UPEZ 헥스 P 채널 MOSFET, -410 mA, -30 V, 8핀 DFN1010B-6, SOT1216 넥스페리아 PMDXB1200UPEZ](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/2559/28/64255928.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)