64-2170-68 IXFN110N85X N 채널 MOSFET, 110A, 850V HiperFET, 4핀 SOT227 IXYS IXFN110N85X
사양
- 수량:1조각
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:110A
- 최대 드레인 소스 전압:850V
- 최대 드레인 소스 저항:33m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:5.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:3.5V
- 최대 게이트 소스 전압:±30V
- 패키지 유형:SOT227
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.17kW
- 가로:25.07mm
- 코드 번호:146-4396
| 주문 번호 | 64-2170-68 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IXFN110N85X | |
| 표준 가격 |
JPY: 15,700
USD: 97.69
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1piece | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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