IXYS

64-2170-67 IXFN90N85X N 채널 MOSFET, 90A, 850V HiperFET, 4핀 SOT227 IXYS IXFN90N85X

사양

  • 수량:1조각
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 배수 전류:90A
  • 최대 드레인 소스 전압:850V
  • 최대 드레인 소스 저항:41m옴
  • 최대 게이트 임계값 전압:5.5V
  • 최소 게이트 임계값 전압:3.5V
  • 최대 게이트 소스 전압:±30V
  • 패키지 유형:SOT227
  • 마운트 유형:서피스 마운트
  • 핀 수:4
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량: 1.2kW
  • 두께:9.6cm
  • 코드 번호:146-4386
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주문 번호 64-2170-67
모델 번호 IXFN90N85X
표준 가격 JPY: 13,100 USD: 81.51
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1piece
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공급자 재고