ON Semiconductor

64-2008-73 [단종]FDC855N N 채널 MOSFET, 6.1A, 30V PowerTrench, 6핀 SOT-23 온 반도체 FDC855N

기능

  • PowerTrench® N-채널 MOSFET, 최대 9.9A, Fairchild 반도체

사양

  • 수량:1백(20개)
  • 채널 유형:N
  • 최대 연속 배수 전류:6.1A
  • 최대 드레인 소스 전압:30V
  • 최대 드레인 소스 저항:39m옴
  • 최소 게이트 임계값 전압:1V
  • 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
  • 패키지 유형:SOT-23
  • 마운트 유형:서피스 마운트
  • 트랜지스터 구성:단일
  • 채널 모드:향상
  • 범주:논리 수준 MOSFET
  • 최대 전력 소비량: 1.6W
  • 일반적인 켜기 지연 시간:6ns
  • 코드 번호:809-0871
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주문 번호 64-2008-73
모델 번호 FDC855N
표준 가격 JPY: 2,240 USD: 13.94
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(20pieces)
  단종
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