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    取扱点数300万点
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    ON Semiconductor

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    • FDC640P P 채널 MOSFET, 4.5A, 20V PowerTrench, 6핀 SOT-23(반도체) FDC640P
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    기능

    • PowerTrench® P 채널 MOSFET, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFET는 시스템 효율성과 전력 밀도를 향상시키는 최적화된 전력 스위치입니다. 소형 게이트 전하(Qg), 소형 역방향 복구 전하(Qrr) 및 소프트 역방향 복구 바디 다이오드(Soft Reverse Recovery Body Diode)를 결합하여 AC/DC 전원 공급 장치에서 동기 정류의 빠른 스위칭에 기여합니다. 최신 PowerTrench® MOSFET에는 전하의 균형을 제공하는 차폐 게이트 구조가 사용됩니다. 이 첨단 기술을 활용하면 이전 세대보다 FOM(Figure of Merit)이 크게 낮아진다. PowerTrench® MOSFET의 소프트 바디 다이오드 성능은 스너버 회로를 제거하거나 더 높은 전압 레이팅 MOSFET를 대체할 수 있습니다.

    仕様

    • 수량:1세트(3000개)
    • 채널 유형:P
    • 최대 연속 배수 전류:4.5A
    • 최대 드레인 소스 전압:20V
    • 최대 드레인 소스 저항:80옴
    • 최소 게이트 임계값 전압:0.6V
    • 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
    • 패키지 유형:SOT-23
    • 마운트 유형:서피스 마운트
    • 핀 수:6
    • 채널 모드:향상
    • 최대 전력 소비량: 1.6W
    • 일반적인 입력 용량 @ Vds:890 pF @ -10 V
    • 코드 번호:166-2292
    •  
    주문 번호 64-2007-64
    型番 FDC640P
    標準価格 JPY: 180,000 USD: 1,119.96
    Excange rate 1USD= 160.72JPY
    Valid price in Japan
    入り数 1set(3000pieces)
    在庫数
    공급자 재고

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      特徴

      • PowerTrench® P 채널 MOSFET, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFET는 시스템 효율성과 전력 밀도를 향상시키는 최적화된 전력 스위치입니다. 소형 게이트 전하(Qg), 소형 역방향 복구 전하(Qrr) 및 소프트 역방향 복구 바디 다이오드(Soft Reverse Recovery Body Diode)를 결합하여 AC/DC 전원 공급 장치에서 동기 정류의 빠른 스위칭에 기여합니다. 최신 PowerTrench® MOSFET에는 전하의 균형을 제공하는 차폐 게이트 구조가 사용됩니다. 이 첨단 기술을 활용하면 이전 세대보다 FOM(Figure of Merit)이 크게 낮아진다. PowerTrench® MOSFET의 소프트 바디 다이오드 성능은 스너버 회로를 제거하거나 더 높은 전압 레이팅 MOSFET를 대체할 수 있습니다.

      仕様

      • 수량:1세트(3000개)
      • 채널 유형:P
      • 최대 연속 배수 전류:4.5A
      • 최대 드레인 소스 전압:20V
      • 최대 드레인 소스 저항:80옴
      • 최소 게이트 임계값 전압:0.6V
      • 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
      • 패키지 유형:SOT-23
      • 마운트 유형:서피스 마운트
      • 핀 수:6
      • 채널 모드:향상
      • 최대 전력 소비량: 1.6W
      • 일반적인 입력 용량 @ Vds:890 pF @ -10 V
      • 코드 번호:166-2292
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      アズワン品番 64-2007-64
      型番 FDC640P
      標準価格 JPY: 180,000 USD: 1,119.96
      Excange rate 1USD= 160.72JPY
      Valid price in Japan
      入り数 1set(3000pieces)
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