64-1916-73 ［단종］SI3900DV-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 2A, 20V, 6핀 TSOP Vishay SI3900DV-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:2A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:200옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.6V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:TSOP
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:6
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:830mW
- 일반 끄기 지연 시간:14ns
- 코드 번호:919-4277
| 주문 번호 | 64-1916-73 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI3900DV-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 175,000
USD: 1,096.97
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |