64-1916-68 SIRA00DP-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 100A, 30V TrenchFET, 8핀 PowerPAK SO Vishay SIRA00DP-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:100A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 소스 저항:1.35메가옴
- 최소 게이트 임계값 전압:1.1V
- 최대 게이트 소스 전압:-16V, +20V
- 패키지 유형:PowerPAK SO
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 최대 전력 소비량:104W
- 칩당 요소 수:1
- 코드 번호:919-4246
| 주문 번호 | 64-1916-68 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIRA00DP-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 694,000
USD: 4,350.28
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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