64-1881-60 IPD80R1K0CEATMA1 N 채널 MOSFET, 5.7A, 800V CoolMOS CE, 3핀 DPAK Infineon IPD80R1K0CEATMA1
기능
- Infineon CoolMOS™ CE 전원 MOSFET
사양
- 수량:1세트(2500개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:5.7A
- 최대 드레인 소스 전압:800V
- 최대 드레인 소스 저항:950옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.9V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.1V
- 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
- 패키지 유형:DPAK(TO-252)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:83W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:165-8015
| 주문 번호 | 64-1881-60 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPD80R1K0CEATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 366,000
USD: 2,295.82
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(2500pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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