64-1860-29 IPB027N10N3GATMA1 N 채널 MOSFET, 120A, 100V OptiMOS 3, 3핀 D2PAK Infineon IPB027N10N3GATMA1
기능
- Infineon OptiMOS™3 전원 MOSFET, 100V 이상
사양
- 수량:1세트(1000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:120A
- 최대 드레인 소스 전압:100V
- 최대 드레인 소스 저항:4.5m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:D2PAK(TO-263)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:300W
- 최소 작동 온도: -55°C
- 코드 번호:911-0890
| 주문 번호 | 64-1860-29 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPB027N10N3GATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 569,000
USD: 3,566.73
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(1000pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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