64-1814-67 ［단종］SiHB28N60EF-GE3 N-채널 MOSFET, 28A, 600V EF 시리즈, 3핀 D2PAK Vishay SiHB28N60EF-GE3
기능
- Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor를 포함한 N 채널 MOSFET 역회복 시간 단축, 역회복 요금, 역회복 전류 Fom(Low-of-merit) Ciss(Low Input Capacitance) 낮은 역회복 요금 Qg(Ultra Low Gate Charge)로 인해 견고성 향상
사양
- 수량:1백(2개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:28A
- 최대 드레인 소스 전압:600V
- 최대 드레인 소스 저항:123m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
- 패키지 유형:D2PAK(TO-263)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:250W
- 칩당 요소 수:1
- 코드 번호:903-4504
| 주문 번호 | 64-1814-67 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SiHB28N60EF-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,260
USD: 14.17
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(2pieces) | |
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