Infineon

64-1795-67 SPD30P06PGBTMA1 P-채널 MOSFET, 30A, 60V SIPMOS, 3핀 DPAK Infineon SPD30P06PGBTMA1

기능

  • Infineon SIPMOS® P-채널 MOSFET Infineon SIPMOS ® 작은 신호 P-채널 MOSFET는 강화 모드, -80A 정도의 낮은 연속 드레인 전류 및 넓은 작동 온도 범위를 포함할 수 있는 몇 가지 특징을 가집니다. SIPMOS 파워 트랜지스터는 자동차 산업뿐만 아니라 텔레콤, eMobility, 노트북, DC/DC 장치를 포함한 다양한 응용에서 사용될 수 있습니다. · AEC Q101 검증(데이터시트 참조) · 무연 리드 도금, RoHS 준수

사양

  • 수량:1백(10개)
  • 채널 유형:P
  • 최대 연속 배수 전류:30A
  • 최대 드레인 소스 전압:60V
  • 최대 드레인 소스 저항:75m옴
  • 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
  • 패키지 유형:DPAK(TO-252)
  • 마운트 유형:서피스 마운트
  • 핀 수:3
  • 채널 모드:향상
  • 범주:전원 MOSFET
  • 최대 전력 소비량:125W
  • 가로:6.22mm
  • 코드 번호:898-6864
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주문 번호 64-1795-67
모델 번호 SPD30P06PGBTMA1
표준 가격 JPY: 2,150 USD: 13.48
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
수량 1bag(10pieces)
일본의 주식
공급자 재고