64-1630-56 STH150N10F7-2 N-채널 MOSFET, 110A, 100V DeepGate, STripFET, 3핀 H2PAK STMicroelectronics STH150N10F7-2
기능
- N 채널 STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics. 넓은 항복 전압 범위를 가진 STripFET™ MOSFET는 초저게이트 전하와 낮은 온 저항을 제공합니다.
사양
- 수량:1세트(1000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:110A
- 최대 드레인 소스 전압:100V
- 최대 드레인 소스 저항:3.9m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:4.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:H2PAK
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:250W
- 칩당 요소 수:1
- 코드 번호:168-8819
| 주문 번호 | 64-1630-56 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | STH150N10F7-2 | |
| 표준 가격 |
JPY: 575,000
USD: 3,604.34
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1set(1000pieces) | |
| 일본의 주식 |
|
|
| 공급자 재고 |
|
|