64-1475-51 IRF7104TRPBF 이중 P-채널 MOSFET, 2.3A, 20V HEXFET, 8핀 SOIC Infineon IRF7104TRPBF
기능
- P-채널 전원 MOSFET 12V ~ 20V, Infineon. Infineon의 이산식 HEXFET® 전력 MOSFET의 범위에는 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 도전을 해결할 수 있는 표면 마운트 및 리드 패키지 및 폼 팩터의 P 채널 디바이스가 포함됩니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:2.3A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:400옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3V
- 최소 게이트 임계값 전압:1V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 2W
- 일반 끄기 지연 시간:42ns
- 코드 번호:831-2869
| 주문 번호 | 64-1475-51 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IRF7104TRPBF | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,960
USD: 18.56
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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