64-1455-46 [단종]IRFR120NTRLPBF N-채널 MOSFET, 9.4A, 100V HEXFET, 3핀 DPAK Infineon IRFR120NTRLPBF
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[단종]IRFR120NTRLPBF N-채널 MOSFET, 9.4A, 100V HEXFET, 3핀 DPAK Infineon IRFR120NTRLPBF 64-1455-46 【AXEL GLOBAL】 アズワン Contact us
Infineon 64-1455-46 [단종]IRFR120NTRLPBF N-채널 MOSFET, 9.4A, 100V HEXFET, 3핀 DPAK Infineon IRFR120NTRLPBF
기능
- N 채널 전원 MOSFET 100V, Infineon. 이산적인 HEXFET® 전력 MOSFET의 Infineon 범위는 표면 마운트 및 리드 패키지 내의 N-채널 디바이스를 포함한다. 또한 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 문제를 해결할 수 있는 폼 팩터를 제공합니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:9.4A
- 최대 드레인 소스 전압:100V
- 최대 드레인 소스 저항:210옴
- 최대 게이트 임계값 전압:4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:DPAK(TO-252)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:48W
- 일반적인 입력 용량 @ Vds:330 pF @ 25V
- 코드 번호:165-5902
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Infineon 64-1455-46 [단종]IRFR120NTRLPBF N-채널 MOSFET, 9.4A, 100V HEXFET, 3핀 DPAK Infineon IRFR120NTRLPBF
特徴
- N 채널 전원 MOSFET 100V, Infineon. 이산적인 HEXFET® 전력 MOSFET의 Infineon 범위는 표면 마운트 및 리드 패키지 내의 N-채널 디바이스를 포함한다. 또한 거의 모든 보드 레이아웃 및 열 설계 문제를 해결할 수 있는 폼 팩터를 제공합니다. 저항력에 대한 범위 벤치마크에서 전도 손실을 줄여 설계자가 최적의 시스템 효율성을 제공할 수 있습니다.
仕様
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:9.4A
- 최대 드레인 소스 전압:100V
- 최대 드레인 소스 저항:210옴
- 최대 게이트 임계값 전압:4V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:DPAK(TO-252)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:48W
- 일반적인 입력 용량 @ Vds:330 pF @ 25V
- 코드 번호:165-5902
アズワン品番 64-1455-46 型番 IRFR120NTRLPBF 標準価格 JPY: 103,450 USD: 648.92 Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan수량 1set(3000pieces)
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