64-1452-35 [단종]BF999E6327HTSA1 N-채널 MOSFET 테트로드, 1.4A, 30V, 3핀 SOT-23 인피니온 BF999E6327HTSA1
기능
- Infineon Dual-gate MOSFET Tetrode. Infineon의 이중 게이트 저잡음 테트로드 MOSFET RF 트랜지스터
사양
- 수량:1백(100개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:1.4A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 게이트 임계값 전압:1.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:0.8V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOT-23
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:MOSFET tetrode
- 최대 전력 소비량:200mW
- 일반적인 입력 용량 @ Vds:2.5 pF @ 10V
- 코드 번호:826-9430
| 주문 번호 | 64-1452-35 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | BF999E6327HTSA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,680
USD: 16.80
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(100pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]BF999E6327HTSA1 N-채널 MOSFET 테트로드, 1.4A, 30V, 3핀 SOT-23 인피니온 BF999E6327HTSA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1452/35/64145234.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)