64-1446-32 [단종]IPD50R399CPBTMA1 N 채널 MOSFET, 9A, 550V CoolMOS CP, 3핀 DPAK Infineon IPD50R399CPBTMA1
기능
- Infineon CoolMOS™CP 전원 MOSFET
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:9A
- 최대 드레인 소스 전압:550V
- 최대 드레인 소스 저항:900옴
- 최대 게이트 임계값 전압:3.5V
- 최소 게이트 임계값 전압:2.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
- 패키지 유형:DPAK(TO-252)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:83W
- 일반적인 켜기 지연 시간:35ns
- 코드 번호:825-9174
| 주문 번호 | 64-1446-32 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | IPD50R399CPBTMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,260
USD: 14.17
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]IPD50R399CPBTMA1 N 채널 MOSFET, 9A, 550V CoolMOS CP, 3핀 DPAK Infineon IPD50R399CPBTMA1](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1446/32/64144631.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)