64-1445-93 IPD042P03L3GATMA1 P 채널 MOSFET, 70A, 30V OptiMOS P, 3핀 DPAK Infineon IPD042P03L3GATMA1
기능
- Infineon OptiMOS™P P 채널 전원 MOSFET Infineon OptiMOS™ P-채널 전원 MOSFET는 고품질 성능을 충족시키는 향상된 기능을 제공하도록 설계되었습니다. 초저스위칭 손실, 온-스테이트 저항, 애벌란시 등급은 물론 자동차 솔루션에 대한 AEC 인증 기능도 있습니다. 애플리케이션에는 dc-dc, 모터 제어, 자동차 및 eMobility 등이 포함됩니다. 향상 모드 Avalanche 등급 낮은 스위칭 및 전도 전력 손실 무납 도금 RoHS 준수 표준 패키지 OptiMOS™ P 채널 시리즈: 온도 범위는 -55°C ~ +175°C
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:70A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 소스 저항:6.8m옴
- 최대 게이트 임계값 전압:1V
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:DPAK(TO-252)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:150W
- 일반 끄기 지연 시간:89ns
- 코드 번호:825-9051
| 주문 번호 | 64-1445-93 | |
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| 모델 번호 | IPD042P03L3GATMA1 | |
| 표준 가격 |
JPY: 2,730
USD: 17.11
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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