64-1389-66 ［단종］SIA429DJT-T1-GE3 P 채널 MOSFET, 8.5A, 20V, 6핀 PowerPAK SC-70 Vishay SIA429DJT-T1-GE3
기능
- P 채널 MOSFET, 8V ~ 20V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:8.5A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:60옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-8V, +8V
- 패키지 유형:PowerPAK SC-70
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:6
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:19W
- 일반적인 입력 용량 @ Vds:1750 pF @ -10 V
- 코드 번호:818-1450
| 주문 번호 | 64-1389-66 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIA429DJT-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,200
USD: 7.52
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(20pieces) | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |