64-1389-56 ［단종］SI7900AEDN-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 6A, 20V, 8핀 PowerPAK 1212 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:6A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:36m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:PowerPAK 1212
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.5W
- 트랜지스터 재료:Si
- 코드 번호:818-1416
| 주문 번호 | 64-1389-56 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI7900AEDN-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,960
USD: 12.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1bag(10pieces) | |
|
||
| 일본의 주식 | - | |