64-1389-55 [단종]SI7900AEDN-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 6A, 20V, 8핀 PowerPAK 1212 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3
기능
- 이중 N 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:6A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:36m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:PowerPAK 1212
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 1.5W
- 두께:1.07cm
- 코드 번호:165-6339
| 주문 번호 | 64-1389-55 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI7900AEDN-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 411,000
USD: 2,576.32
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]SI7900AEDN-T1-GE3 이중 N 채널 MOSFET, 6A, 20V, 8핀 PowerPAK 1212 Vishay SI7900AEDN-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1389/55/64138955.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)