64-1373-29 SIHFBC30AS-GE3 N 채널 MOSFET, 3.6A, 600V, 3핀 D2PAK Vishay SIHFBC30AS-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 600V ~ 1000V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(50개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:3.6A
- 최대 드레인 소스 전압:600V
- 최대 드레인 소스 저항:2.2옴
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-30V, +30V
- 패키지 유형:D2PAK(TO-263)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:74W
- 가로:9.65mm
- 코드 번호:165-6093
| 주문 번호 | 64-1373-29 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIHFBC30AS-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 12,900
USD: 80.86
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1set(50pieces) | |
| 일본의 주식 |
|
|
| 공급자 재고 |
|
|