64-1372-98 SIHF640L-GE3 N 채널 MOSFET, 18A, 200V, 3핀 I2PAK 비샤이 SIHF640L-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 200V ~ 250V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(10개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:18A
- 최대 드레인 소스 전압:200V
- 최대 드레인 소스 저항:180옴
- 최소 게이트 임계값 전압:2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:I2PAK(TO-262)
- 장착 유형:관통 구멍
- 핀 수:3
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:130W
- 가로:4.83mm
- 코드 번호:815-2635
| 주문 번호 | 64-1372-98 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIHF640L-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 4,980
USD: 30.99
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(10pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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