64-1363-72 ［단종］SIS430DN-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 21A, 25V, 8핀 PowerPAK 1212 Vishay SIS430DN-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 8V ~ 25V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(3000개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:21A
- 최대 드레인 소스 전압:25V
- 최대 드레인 소스 저항:6.9m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:1.2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:PowePAK 1212
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량:52W
- 일반적인 입력 용량 @ Vds:1600 pF @ 12.5
- 코드 번호:165-6939
| 주문 번호 | 64-1363-72 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIS430DN-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 195,530
USD: 1,226.51
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(3000pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |