64-1363-49 [단종]SIA921EDJ-T1-GE3 듀얼 P 채널 MOSFET, 4.5A, 20V, 6핀 SOT-363(SC-70) Vishay SIA921EDJ-T1-GE3
기능
- 이중 P 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:P
- 최대 연속 배수 전류:4.5A
- 최대 드레인 소스 전압:20V
- 최대 드레인 소스 저항:98m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.5V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:SOT-363(SC-70)
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:6
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 7.8W
- 칩당 요소 수:2
- 코드 번호:814-1235
| 주문 번호 | 64-1363-49 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SIA921EDJ-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,280
USD: 8.02
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]SIA921EDJ-T1-GE3 듀얼 P 채널 MOSFET, 4.5A, 20V, 6핀 SOT-363(SC-70) Vishay SIA921EDJ-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1363/49/64136348.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)