64-1350-85 ［단종］SI4666DY-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 16.5A, 25V, 8핀 SOIC Vishay SI4666DY-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 8V ~ 25V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(20개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:16.5A
- 최대 드레인 소스 전압:25V
- 최대 드레인 소스 저항:14m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.6V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 5W
- 너비:4mm
- 코드 번호:812-3249
| 주문 번호 | 64-1350-85 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4666DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,300
USD: 8.09
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(20pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |