64-1350-84 [단종]SI4666DY-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 16.5A, 25V, 8핀 SOIC Vishay SI4666DY-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 8V ~ 25V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(2500개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:16.5A
- 최대 드레인 소스 전압:25V
- 최대 드레인 소스 저항:14m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.6V
- 최대 게이트 소스 전압:-12V, +12V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 5W
- 일반적인 켜기 지연 시간:13ns
- 코드 번호:165-7257
| 주문 번호 | 64-1350-84 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4666DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 213,000
USD: 1,335.17
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| 수량 | 1set(2500pieces) | |
|
|
||
| 일본의 주식 | - | |
![[단종]SI4666DY-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 16.5A, 25V, 8핀 SOIC Vishay SI4666DY-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1350/84/64135084.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)