64-1350-83 SI4599DY-T1-GE3 이중 N/P 채널 MOSFET, 4.7A, 6.8A, 40V, 8핀 SOIC Vishay SI4599DY-T1-GE3
기능
- 이중 N/P 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1백(20개)
- 채널 유형:N, P
- 최대 연속 배수 전류:4.7A, 6.8A
- 최대 드레인 소스 전압:40V
- 최대 드레인 소스 저항:42.5mOhm, 62mOhm
- 최소 게이트 임계값 전압:1.2V
- 최대 게이트 소스 전압:-20V, +20V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 핀 수:8
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 3W, 3.1W
- 트랜지스터 재료:Si
- 코드 번호:812-3233
| 주문 번호 | 64-1350-83 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4599DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 3,270
USD: 20.50
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1bag(20pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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