64-1350-81 [단종]SI4501BDY-T1-GE3 이중 N/P 채널 MOSFET, 6.4A, 12A, 8V, 30V, 8핀 SOIC Vishay SI4501BDY-T1-GE3
기능
- 이중 N/P 채널 MOSFET, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(20개)
- 채널 유형:N, P
- 최대 연속 배수 전류:6.4A, 12A
- 최대 드레인 소스 전압: 8V, 30V
- 최대 드레인 소스 저항:20 m옴, 37 m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:0.45V
- 최대 게이트 소스 전압: -20V, -8V, +20V, +8V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:공통 드레인
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 3.1W, 4.5W
- 칩당 요소 수:2
- 코드 번호:812-3227
| 주문 번호 | 64-1350-81 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4501BDY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 1,240
USD: 7.77
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(20pieces) | |
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| 일본의 주식 | - | |
![[단종]SI4501BDY-T1-GE3 이중 N/P 채널 MOSFET, 6.4A, 12A, 8V, 30V, 8핀 SOIC Vishay SI4501BDY-T1-GE3](https://aimg.as-1.co.jp/c/64/1350/81/64135080.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)