64-1350-71 SI4178DY-T1-GE3 N 채널 MOSFET, 12A, 30V, 8핀 SOIC Vishay SI4178DY-T1-GE3
기능
- N 채널 MOSFET, 30V ~ 50V, Vishay 반도체
사양
- 수량:1세트(2500개)
- 채널 유형:N
- 최대 연속 배수 전류:12A
- 최대 드레인 소스 전압:30V
- 최대 드레인 소스 저항:33m옴
- 최소 게이트 임계값 전압:1.4V
- 최대 게이트 소스 전압:-25V, +25V
- 패키지 유형:SOIC
- 마운트 유형:서피스 마운트
- 트랜지스터 구성:단일
- 채널 모드:향상
- 범주:전원 MOSFET
- 최대 전력 소비량: 5W
- 일반적인 켜기 지연 시간:20ns
- 코드 번호:165-7249
| 주문 번호 | 64-1350-71 | |
|---|---|---|
| 모델 번호 | SI4178DY-T1-GE3 | |
| 표준 가격 |
JPY: 166,000
USD: 1,032.85
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
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| 수량 | 1set(2500pieces) | |
| 일본의 주식 |
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| 공급자 재고 |
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